GT30J124 Транзистор IGBT N-канал

Кликни сюда - Характеристики GT30J124

Наименование: GT30J124

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 26

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200(pulse)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.4
Тип корпуса: TO220SIS