Наименование прибора: 2SK1356 Toshiba

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 55 ns

Выходная емкость (Cd): 120 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.3 Ohm

Тип корпуса: SC67

Аналоги 2SK790